CR装置
（75pm12、74am8、72am7、71am12、67am8、66.14、64.16、61.92）
・CR装置の動作
IPをレーザービームで走査することで画像情報を蛍光として取り出し、蛍光を光電子増倍管で電気信号に変換しAD変換して画像処理を行う
リアルタイムでの観察はできない
撮影後のIPは自色光を当てて画像を消去できる
撮影時は遮光と保護のため専用カセッテに収納して使用
両面集光方式では発光の検出効率が向上する
・CR装置の読取り装置構成部品
（73pm10、65.14、62.19）
・イメージングプレート
（73am8）
・輝尽性蛍光体(BaFX:Eu2+、X:Cl、Br、I)：バリウムフルオロハライド化合物
X線の照射によりエネルギーを蓄積した物質が,その後の可視光･赤色光(He –Neレーザ：633nm)の照射(輝尽励起光)により,波長が短く(400nm)放射線量に比例した光量で発光する蛍光体
・二次励起光を照射すると青紫色に発光する
・消去光(白色光)によってくり返し使用可能
・有効発光時間：2～3µs
FPD装置
（76pm9、62.20、61.19）
半導体を用いて人体透過X線を電気信号(電荷)に変換してX線画像を構築する検出器
・特徴
（67pm7）
「小型軽量で経年変化がない」
「地磁気の影響を受けない」
「動画撮影可能」
「パルス透視可能」
「画像のゆがみがない」
「アナログシステムよりもDQEが高い」
「画質の総合指標として、量子検出効率(DQE)を用いる」
・X線変換方式
（74pm7、70am8、69am8.pm7、68am10、67pm7、66.14、65.15、61.21）
①直接変換方式
| X線 | → | 電荷量 |
| a-Se半導体 |
②間接変換方式
| X線 | → | 光 | → | 電荷量 |
| シンチレータ | フォトダイオード |
| 間接変換方式 | 直接変換方式 | |
| 検出器 | シンチレータ (CsI(Tl)、Gd2O2S：Tb) |
光導電体 (a-Se半導体) |
| 読み出し | a-Si TFT (フォトダイオード) |
a-Si TFT (蓄積コンデンサ) |
| 比較 | ||
| 空間分解能 | 悪い | 良い |
| MTF | 悪い | 良い |
| DQE(SNR) | 良い | 悪い |
| 温度変化の影響 | 受けない | 受ける(冷却方式) |
・FPDの補正
①オフセット補正(シフト補正)
：非照射時の漏れ電流による信号の感度補正
②ゲイン補正
：様々な原因による感度不均一に対する補正
③TFTアレイの画素欠損補正
④アーチファクト補正
フィルム系、I.I.-DR装置、CR装置、FPD装置の比較
(63.18、60.12)
| フィルム | I.I.-DR | CR | FPD | |
| ダイナミックレンジ | 1.5～2桁 | 2～2.5桁 | 3.5～4桁 | 3.5～4桁 |
| 線量に対する直線性 | 悪い | 良い | ||
| リアルタイムでの観察 | 不可 | 可能 | 不可 | 可能 |
| サブトラクション | 不可 | 可能 | 可能 | 可能 |
| 画素サイズ (CTは1mm～100μm) |
100μm程 | 100 ~ 200μm | ||
| DQE | 低い | 高い |
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