X線画像装置

スポンサーリンク

CR装置

(71am12、67am8、66.14、64.16、61.92)

・CR装置の動作

 IPをレーザービームで走査することで画像情報を蛍光として取り出し、蛍光を光電子増倍管で電気信号に変換しAD変換して画像処理を行う
 リアルタイムでの観察はできない
 撮影後のIPは自色光を当てて画像を消去できる
 撮影時は遮光と保護のため専用カセッテに収納して使用
 両面集光方式では発行の検出効率が向上する

・CR装置の読取り装置構成部品

(65.14、62.19)

・イメージングプレート

・輝尽性蛍光体(BaFX:Eu2+、X:Cl、Br、I):バリウムフロロハイド化合物
 X線の照射によりエネルギーを蓄積した物質が、その後の可視光・赤色光(He –Neレーザ633nm)の照射により、波長が短く放射線量に比例した光量で発光する蛍光体
・二次励起光を照射すると青紫色に発光する
消去光(白色光)によってくり返し使用可能

FPD装置

 (62.20、61.19)
 半導体を用いて人体透過X線を電気信号(電荷)に変換してX線画像を構築する検出器

・特徴

 (67pm7)
「小型軽量で経年変化がない
「地磁気の影響を受けない
動画撮影可能」
パルス透視可能」
「画像のゆがみがない」
「アナログシステムよりもDQEが高い
「画質の総合指標として、量子検出効率(DQE)を用いる」
「キャリブレーション(感度補正):シフト補正ゲイン補正が必要」

スポンサーリンク

・X線変換方式

 (70am8、69am8.pm7、68am10、67pm7、66.14、65.15、61.21)

①直接変換方式

X線 電荷量
  a-Se半導体  

②間接変換方式 

X線 →  光  電荷量
  シンチレータ   フォトダイオード  
  間接変換方式 直接変換方式
検出器 シンチレータ
(CsI(Tl)、Gd2O2S:Tb)
光導電体

(a-Se半導体)
読み出し  a-Si TFT
(フォトダイオード)
a-Si TFT
(蓄積コンデンサ)
比較     
空間分解能 悪い  良い
MTF  悪い  良い
DQE(SNR) 良い 悪い
温度変化の影響
 受けない 
受ける(冷却方式)

フィルム系、I.I.-DR装置、CR装置、FPD装置の比較

 (63.18、60.12)

  フィルム I.I.-DR CR  FPD
ダイナミックレンジ 1.5~2桁 2~2.5桁 3.5~4桁 3.5~4桁
線量に対する直線性 悪い   良い  
リアルタイムでの
観察 
不可 可能 不可 可能
サブトラクション 不可 可能 可能 可能
画素サイズ
(CTは1mm~100μm) 
    100μm程 100 ~ 200μm
DQE 低い     高い

 

コメント

error: Content is protected !!