X線画像装置

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CR装置

(72am7、71am12、67am8、66.14、64.16、61.92)

・CR装置の動作

 IPをレーザービームで走査することで画像情報を蛍光として取り出し、蛍光を光電子増倍管で電気信号に変換しAD変換して画像処理を行う
 リアルタイムでの観察はできない
 撮影後のIPは自色光を当てて画像を消去できる
 撮影時は遮光と保護のため専用カセッテに収納して使用
 両面集光方式では発行の検出効率が向上する

・CR装置の読取り装置構成部品

(65.14、62.19)

・イメージングプレート

・輝尽性蛍光体(BaFX:Eu2+、X:Cl、Br、I):バリウムフロロハイド化合物
 X線の照射によりエネルギーを蓄積した物質が、その後の可視光・赤色光(He –Neレーザ633nm)の照射により、波長が短く放射線量に比例した光量で発光する蛍光体

・二次励起光を照射すると青紫色に発光する

消去光(白色光)によってくり返し使用可能

FPD装置

 (62.20、61.19)
 半導体を用いて人体透過X線を電気信号(電荷)に変換してX線画像を構築する検出器

・特徴

 (67pm7)
「小型軽量で経年変化がない
「地磁気の影響を受けない
動画撮影可能」
パルス透視可能」
「画像のゆがみがない」
「アナログシステムよりもDQEが高い
「画質の総合指標として、量子検出効率(DQE)を用いる」

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・X線変換方式

 (70am8、69am8.pm7、68am10、67pm7、66.14、65.15、61.21)

①直接変換方式

X線電荷量
 a-Se半導体 

②間接変換方式 

X線→ 光 電荷量
 シンチレータ フォトダイオード 
 間接変換方式直接変換方式
検出器シンチレータ
(CsI(Tl)、Gd2O2S:Tb)
光導電体
(a-Se半導体)
読み出し a-Si TFT
(フォトダイオード)
a-Si TFT
(蓄積コンデンサ)
比較   
空間分解能悪い 良い
MTF 悪い 良い
DQE(SNR)良い悪い
温度変化の影響
 受けない 
受ける(冷却方式)

・FPDの補正

オフセット補正(シフト補正) 
:非照射時の漏れ電流による信号の感度補正

ゲイン補正
:様々な原因による感度不均一に対する補正

TFTアレイの画素欠損補正

アーチファクト補正

フィルム系、I.I.-DR装置、CR装置、FPD装置の比較

 (63.18、60.12)

 フィルムI.I.-DRCR FPD
ダイナミックレンジ1.5~2桁2~2.5桁3.5~4桁3.5~4桁
線量に対する直線性悪い 良い 
リアルタイムでの
観察 
不可可能不可可能
サブトラクション不可可能可能可能
画素サイズ
(CTは1mm~100μm) 
  100μm程100 ~ 200μm
DQE低い  高い

 

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