対策ノート

腫瘍学 

消化器系腫瘍 / 肺癌

食道がん ・発生部位  頸部食道:5%    胸部食道:90%      (上部:10%、中部:55%、下部:25%)    腹部食道:5% ・成因 :生活習慣(タバコ、酒)や身体的要因(バレット食道、アジア人) ・組織型 :扁平上皮癌    ・予後 :非常に不良 治療方法  主に化学療法と放射線療法 ・手術療法 :根治的治療法として第一選択である  食道抜去術+リンパ節三領域隔清 ・放射線治療 (66.79) (1)放射線治療単独(手術が困難な人対象) :5年生存率は10%以下 (2)腔内照射併用 :早期がんを対象として、RALSを使用する   高線量率(HDR)小線源治療 (3)化学療法併用 :CDDP+5Fuの同時併用が、現在の食道がん治療の主流である 胃がん ・発生要因 :食事内容、ヘリコバクターピロリ菌の感染、遺伝 ・治療 :外科的療法が第一選択 大腸がん ・発生部位 :結腸癌と直腸癌に分類  (直腸>S状結腸>上行結腸の順に多い) ・発生要因 :繊維成分が少なく脂肪の多い食生活(80%以上)、APC癌抑制遺伝子、p53癌抑制遺伝子 ・治療 :結腸では外科療法  直腸では放射...
腫瘍学 

生殖器系腫瘍 / 泌尿器系腫瘍

前立腺癌 前立腺癌とは ・成因 :内分泌環境因子(男性ホルモン血中濃度)  動物性脂質摂取 診断 (74pm38、69pm36、62.20) ・病期分類:95%が腺癌 ・分化度(Gleason score)、TNM分類 →予後、治療方法に影響する ・進行性でない場合、病理解剖時に初めて発見される場合がある 治療  (66.84) ・手術療法 :早期がん症例では放射線治療と治療成績は同じ ・放射線治療 (72am37、71pm41、70am42、70pm44、68pm42、66.86.26、65.81、62.70、61.88)  手術療法と並んで根治療法の一つ  「3D-Conformal RT (3次元原体照射):4門以上が望まれる」  「粒子線治療」  「密封小線源治療:125-I による永久刺入法」  「HDR組織内照射」  「IMRT (強度変調放射線治療)」 ※骨転移の際には除痛効果が得られる *晩期障害:直腸出血 ・内分泌療法とホルモン療法 :遠隔転移で第一選択  手術や放射線治療の補助療法としても使用される。 「女性ホルモン(DES)」 「estramustine phos...
腫瘍学 

小児腫瘍 / リンパ腫・白血病 / 乳がん / 皮膚がん

小児腫瘍 ・集学的治療(手術、化学療法、放射線治療)を行う ・小児好発がん  (70am58、69am61、68am61、66.25)  「白血病」  「脳腫瘍(神経膠腫、髄芽腫、頭蓋咽頭腫、胚細胞腫瘍、上衣腫)」  「神経芽腫」  「リンパ腫」  「腎腫瘍(腎芽腫、ウィルムス腫瘍)」  「骨肉腫」 小児白血病 :予防的頭蓋照射、脊髄移植のための全身照射を行う ウイルムス腫瘍  (69pm61) ・集学的治療  手術療法  :早期の外科手術   原発巣とリンパ節の廓清   進行病期の決定    放射線療法  :術後照射   ただし、晩期に側弯症が起こる可能性がある    化学療法  :ACT-D、VCR、ADMなどがある 横紋筋肉腫 ・集学的治療  手術療法  :早期の外科手術   原発巣とリンパ節の廓清   病期の決定    放射線治療:術後照射  化学療法:VAC療法など 神経芽細胞腫 ・集学的治療  完全摘出(+JAMES法(軽い化学療法)のみ)  不完全摘出(+術後照射+強い化学療法+骨髄移植) *集学的治療があまり効かないが1歳未満での発症は予後良好 網膜芽細胞腫 悪性リンパ...
Ⅹ.医用工学

電界 / 磁界 / 電磁力 / ローレンツ力

電荷・電界・電位差(電圧) 電荷(量)Q  単位:C(クーロン)  電荷素量e  e = 1.602×10-19[C]   2個の静電荷に働くクーロン力  (63.51)  クーロン力F    $$F=\frac { 1 }{ 4πε_{ 0 } } ×\frac { g_{ 1 }×g_{ 2 } }{ r^{ 2 } } =9×{ 10 }^{ 9 }×\frac { g_{ 1 }×g_{ 2 } }{ r^{ 2 } }$$   r:距離 g:電荷 ε0:真空の誘電率 電界(1つの電荷が力を及ぼす空間)  電界の強さE    E = 「電気力線の数」÷「表面線[m2]」 ・点電荷から距離r[m]での電界の強さE   (70pm75、67am74、61.51) $$E=\frac { g }{ 4π・r^{ 2 }・ε }  [N/C=V/m]$$ ・電気力線 (70am75.pm75、67am74)  電荷から放射性に発生し、電界を形成する仮想的な線  数はQ /ε本出る  正電荷から垂直に出て負電荷で終わる  (単独の場合は無限点)  電界の方向を示す(接線方向)  電気力線...
Ⅹ.医用工学

抵抗・コンデンサ・コイル / 直流回路 / 並列回路

抵抗・コンデンサ・コイル 抵抗R  (72am75、65.56、64.52、63.53、62.55)  単位:Ω(オーム)=1/S(ジーメンス)  電流の流れにくさを表す  電流の流れやすさはコンダクタンスという  抵抗R=ρ×長さl[m]÷断面積S[m2]     ρ:抵抗率(比抵抗)[Ω・m] *倍率器(73pm77) コンデンサ ・静電誘導   導体外部からの電界により電荷が導体表面に移動する現象 ・静電容量 (74pm77、71am75、70pm75、69pm75、68pm76、67am74、61.51)  単位:F(ファラド)  二つの導体(コンデンサ)に電圧Vを印加すると+q、-qの電界が誘起される  静電容量C = q / V[F=A・s/V=C/V]  蓄積されるエネルギーW = CV2×1/2 ・平行平板コンデンサの静電容量C[F]  (72am77)  C[F]=ε×S[m2]÷d[m]  ε:誘電率 ・交流回路では電圧Vの位相は、電流Iに対して90°遅れる  Vc = 1/wc × I0 × sin(wt-π/2) コイルL ・電磁誘導  コイル内の磁束の変化によ...
Ⅹ.医用工学

交流電力 / 変圧器 / 時定数 / 鉄心 / 真空管

交流電力 (74am75、73pm75、68pm76、67pm77、66.53、65.53、61.55)  一周期にわたる瞬時電力pの平均値を交流電力という ・交流電力P   P=VIcosθ[W]  VI:皮相電力  cosθ:力率 ・無効電力P   P=VIsinθ[W] ・実効値=最大値(瞬時値)/√2 ・平均値=2/π×最大値(瞬時値) ・消費電力P(電力の瞬時値の時間平均)  P=V×I×cosθ  V:実効値  I:実効値   cosθ:位相差 変圧器の原理  (72am5、70am77、69am77)  a= V2/V1   = N2/N1    = I1/I2  一次等価抵抗R1=r1+r2/a2  二次等価抵抗R2=r2+a2×r2  定格容量P=V2×I2=V1×I1 変圧器の損失 (73pm76、72pm76) ・損失W  W=鉄損+銅損   鉄損=銅損:変圧器の最大効率 1, 無負荷損(鉄損):鉄心に生じる損失  1-1, ヒステリシス損  1-2,うず電流損 2,負荷損(銅損):負荷電流による巻線の抵抗損  銅損=R×I2, 負荷, 負荷率の二乗に比例  2-...
Ⅹ.医用工学

半導体 / 様々なダイオード

固体素子(半導体) 固体の帯理論 ・真性半導体  (69pm78)  伝導電子の密度n と正孔の密度p が等しい半導体  フェルミ準位はバンドギャップの中央に位置する ・n 形半導体  (69pm78、66.56、60.56)  真性半導体に不純物を入れ、自由電子を生じさせ、伝導電子密度n>正孔密度pとする  キャリア:電子  不純物(ドナー):Siの場合Sb、P、As  (いずれも15 族元素) ・p 形半導体  (71pm77、60.56)  真性半導体に不純物を入れ、正孔を生じさせ、正孔密度p>伝導電子密度nとする  キャリア:正孔  不純物(アクセプタ):Siの場合B、Al、Ga、In  (いずれも13 族元素) ・フェルミ準位 (66.56、60.56)  電子の存在確率が1/2のエネルギーのところ  真性半導体:バンドギャップ(価電子帯のすぐ上の禁止帯)の中央  n 形半導体:中央から伝導帯に近づいた位置  p 形半導体: 中央から価電子帯に近づいた位置 ・抵抗率 (69pm78)  絶縁体の抵抗率は1014[Ωm]  シリコンの抵抗率は約105[Ωm]     導体(銅)...
Ⅹ.医用工学

増幅器

増幅器    電圧増幅度AV=V2 / V1  電流増幅度AI=I2 / I1  電力増幅度Ap=V2I2 / V1I1         =P2 / P1 増幅度(利得、ゲイン) (74pm75、62.54、61.54)  電力増幅度Gp=10log10P2 / P1[dB]  電圧or電流増幅度Gp=20log10V2 / V1[dB]            =20log10A2 / A1[dB] ・オフセット電圧 :入力端子を短絡して0Vとした場合に、出力される電圧 ・デシベルの計算  A dB + B dB = ( A+B ) dB 帰還回路(負帰還回路)  Av = V2 / Vi  V2 = Av × Vi     = Av ( V1 + βV2)  帰還後の電圧利得Avf  Avf= V2 / V1    = Av / (1-βAv) ・安定性  Avが変化しても、回路の利得はβによってほぼ決定されるので、極めて安定している 演算増幅器(オペレーションアンプ) ・反転増幅器 (70pm77、64.57)  点Pの電圧Vp=0  点Pの電流Ip=(V1-Vp)/ R1  V0...
XⅣ.放射線安全管理学

防護量 / 実用量 / 被ばく量 / 防護の原則

防護量の単位と定義 (75am98、72pm97、71pm99、68pm98、64.100、62.99) 名称 単位 定義 線量当量 J・kg-1=Sv  =(ある点における吸収線量)×(線質係数) ★等価線量 J・kg-1=Sv ある組織・臓器にわたって平均し、線質について加重した吸収線量 =Σ((ある組織・臓器の一点における吸収線量)×(放射線加重係数)) ★実効線量 J・kg-1=Sv  =Σ((等価線量)×(組織加重係数)) 預託等価線量   RI摂取後にある期間に与えられる等価線量の時間積分値 期間が不明な場合、成人は50年、子供は摂取時から70年とする 預託実効線量   等価線量率の代わりに実効線量率をとったもの 摂取した放射能×実効線量係数 実用量の単位と定義 (73am99、71pm96) 名称 単位 定義 周辺線量当量 Sv  ある一点に全方向から来る放射線を整列・拡張した場にICRU球を置いたとき 整列場方向に半径上の深さdmmにおいて生ずる線量当量 方向性線量当量 Sv  線量計の角度依存性を表すのに用いられる線量当量 個人線量当量 Sv  スラブファントムを用い...
XⅣ.放射線安全管理学

ICRP勧告

1990年勧告 放射線防護の目標 ・便益をもたらす被ばくを伴う行為を、不当に制限することなく人の安全を確保する ・個人の確定的影響の発生を防止すること ・確率的影響の発生を容認できるレベルに抑えること 放射線防護体系 「行為」:被ばくを増加させる人間活動のこと 「介入」:被ばくを減少させる人間活動のこと 放射線防護の三原則とその順序(上から) (73pm99、67am94、66.93、65.93、64.93) ・行為の正当化   「行為」はそれによって生ずる放射線障害を相殺するに十分な便益が必要  → 十分な便益を伴う診療行為がこれにあたる ・防護の最適化 (71am9)  被ばく線量を潜在被ばくも含め、経済的・社会的要因を考慮した上で、合理的に達成できる限り低く抑える  *この原則はALARAの原則といわれる  → 被ばく低減の工夫がこれにあたる ・個人の線量限度  被ばくグループとその子孫が、最終的に被る害の全体の尺度をデトリメントという概念で表す  → 被ばくの管理がこれにあたる 被ばくの区分  (71am100、70am67、69am96.pm100、61.93) ・医療被ばく...
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