X線画像装置

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CR装置

(75pm12、74am8、72am7、71am12、67am8、66.14、64.16、61.92)

・CR装置の動作

 IPをレーザービームで走査することで画像情報を蛍光として取り出し、蛍光を光電子増倍管で電気信号に変換しAD変換して画像処理を行う
 リアルタイムでの観察はできない
 撮影後のIPは自色光を当てて画像を消去できる
 撮影時は遮光と保護のため専用カセッテに収納して使用
 両面集光方式では発光の検出効率が向上する

・CR装置の読取り装置構成部品

(73pm10、65.14、62.19)

・イメージングプレート

(73am8)
・輝尽性蛍光体(BaFX:Eu2+、X:Cl、Br、I):バリウムフルオロハライド化合物
 X線の照射によりエネルギーを蓄積した物質が,その後の可視光・赤色光(He –Neレーザ633nm)の照射(輝尽励起光)により,波長が短く(400nm)放射線量に比例した光量で発光する蛍光体
・二次励起光を照射すると青紫色に発光する
消去光(白色光)によってくり返し使用可能
・有効発光時間:2~3µs

FPD装置

 (62.20、61.19)
 半導体を用いて人体透過X線を電気信号(電荷)に変換してX線画像を構築する検出器

・特徴

 (67pm7)
「小型軽量で経年変化がない
「地磁気の影響を受けない
動画撮影可能」
パルス透視可能」
「画像のゆがみがない」
「アナログシステムよりもDQEが高い
「画質の総合指標として、量子検出効率(DQE)を用いる」

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・X線変換方式

(74pm7、70am8、69am8.pm7、68am10、67pm7、66.14、65.15、61.21)

①直接変換方式

X線  電荷量
 a-Se半導体 

②間接変換方式 

X線   →     → 電荷量
 シンチレータ フォトダイオード 
 間接変換方式直接変換方式
検出器シンチレータ
(CsI(Tl)、Gd2O2S:Tb)
光導電体
(a-Se半導体)
読み出し a-Si TFT
(フォトダイオード)
a-Si TFT
(蓄積コンデンサ)
比較   
空間分解能悪い 良い
MTF悪い良い
DQE(SNR)良い悪い
温度変化の影響受けない 受ける(冷却方式)

・FPDの補正

オフセット補正(シフト補正) 
:非照射時の漏れ電流による信号の感度補正

ゲイン補正
:様々な原因による感度不均一に対する補正

TFTアレイの画素欠損補正

アーチファクト補正

フィルム系、I.I.-DR装置、CR装置、FPD装置の比較

 (63.18、60.12)

 フィルムI.I.-DRCRFPD
ダイナミックレンジ1.5~2桁2~2.5桁3.5~4桁3.5~4桁
線量に対する直線性悪い 良い 
リアルタイムでの観察不可可能不可可能
サブトラクション不可可能可能可能
画素サイズ
(CTは1mm~100μm) 
  100μm程100 ~ 200μm
DQE低い  高い

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・出題年数の見方
 例:(71pm72、67pm13.pm75、66.26)とある場合
 71pm72 → 第71回の午後72問
 67pm13pm75 → 第67回の午後13問と午後75問
 66.26 → 第66回のその教科がある方の26問
(放射化学から医用画像情報学までは午前、基礎医学大要から安全管理学までは午後)
*第66回までは午前午後で出題される科目が分かれていたため

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